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第291章 半导体提议光刻厂（第3页）

“王董，你稍等下，这种严密的技术性问题，我也不在行，可否让我录个视频，回去给专家院士看？”

“没问题。”王逸摆了摆手。

“谢谢！”秦主任和蔼一笑，当即拿出星逸xphone1，打开视频录制：“好了，王董，请继续说。”

王逸点点头：“众所周知，阿斯麦的euV光刻机之所以厉害，能做到5纳米以下的芯片制程，就是因为它能制造13。5纳米的极紫外光源，这种光源是未来5纳米以下制程芯片的关键。”

“而duV光刻机的深紫外光源，最多能制造1o纳米芯片。通过多重曝光技术，才能量产7纳米，5纳米。甚至5纳米的良品率都不高，成本却不低。至于5纳米以上的4纳米，3纳米，那更不现实，只能靠euV光刻机的极紫外光源。”

“同样，我们本质上需要的不是euV光刻机，而是13。5纳米的极紫外光源！”

“euV光刻机我们目前造不了，未来难度也很大。但是我们反其道而行，通过其他方式，实现极紫外光源，也能制造出4纳米，3纳米，甚至2纳米，1纳米芯片。”

“比如我之前提到的光刻厂！”王逸顿了顿，继续道：

“建一个光刻厂，通过粒子对撞，实现极紫外光源，然后通过光刻厂的模式，实现euV光刻机的效果。”

……

“当然，我并非半导体专业人士，以上内容只是基于我不成熟的想法，随口一说。”

“能不能实现，我就不知道了。若是不能实现，还请各位大佬海涵。”

至于能不能实现，他也不知道，但理论上应该可以。

前世华清大学的euV光刻机，就是要走这个路线，完全不同于阿斯麦的技术路线。

若是真能实现，直接从根源上避开了阿斯麦的专利。

毕竟极紫外光源的产生方式都不一样，也就没有侵犯专利这一说了。

国产技术突破的难度，不只是要做出同样的产品和等效的技术，还要避开西方的专利壁垒，采取完全不同的技术路线。

这就难上加难了。

但即便如此，前世依旧把工业皇冠上的明珠，差点全部摘秃噜皮。

秦主任笑着伸出手：“谢谢，你这些观点很重要，我这就上报。无论如何，都很感谢。”

“主任言重了，若是我说得不对，你们就当我瞎说，海涵。”

“呵呵，那不会。科学的探索本就是知无不言，言无不尽。何况是这么别出心裁的建议，意义重大！”

王逸摆了摆手：“不成熟的想法罢了，希望有点参考价值。光刻机这个东西难，光刻胶也难，都得看国家机器了。”

秦主任点点头：“放心，光刻胶也是官方大力扶持的领域，必须突破！”

王逸松了口气，若是这些难题官方都逐步搞定，那就稳了。

又交流了一番，王逸离开管委会。

而秦主任则直奔某机要之地，汇报王逸的想法。

不管成不成的，都是一个新的思路，让院士专家鉴定一下也好。

不成，可以当做一个思路，有借鉴意义。

若是成了，那就再好不过，弯道车都有可能。

届时，王逸都是大功一件。

没办法，造晶圆厂可以，研芯片也可以，但研光刻机，王逸真办不到。

太难了。

只能把自己知道的思路都说了，多少提供点帮助。

若是光刻机厂建成，国产euV突破，那就再好不过。

但若是突破不了，也没有办法，只能用duV光刻机多重曝光技术，凑合着来。

至于国产duV光刻机，现在官方大力扶持，最快也得四五年才能研成功。

王逸的晶圆厂一期今年年底就能建好，根本等不了。

还得先订购阿斯麦的duV光刻机啊！

阿斯麦的光刻机都得提前一年左右订购。